CUMEC公司超厚氧化膜生長工藝技術取得突破

  ICC訊 為滿足SIN波導開發需求，今年5月開始CUMEC公司組織開展了“微米級超厚高質量氧化膜生長工藝”核心技術的自主研發攻關，并于近日取得重大突破。

  在半導體制造業，微米級超厚高質量氧化膜生長工藝是一個高難度的非常規工藝。對于CUMEC公司新建的8吋工藝平臺來說，國內沒有類似的工藝可供參考，更得不到外界的技術支持，一切都需要從零開始。新工藝的研發是艱難的，需要進行大量的單項工藝試驗，工藝開發從來都不是一帆風順的，CUMEC工程師們廢寢忘食，或查詢文獻資料，或向資深工程師請教，或多模組配合開展頭腦風暴，大家心往一處想、智往一處謀、勁往一處使，經過近60個日夜的奮戰，微米級的高質量氧化膜的首批樣片終于制備完成，標志著CUMEC公司在特殊原料替代進口、降低成本的道路上邁出了關鍵的一步。

  在CUMEC公司發展的道路上，不會一帆風順，還會遇到很多的新問題、新挑戰，但CUMEC人相信機遇與挑戰并存，抓住機遇，克服困難、迎接挑戰，CUMEC的發展道路定會越走越寬。