銘普光磁取得“一種光模塊參數配置方法、裝置、設備及存儲介質”發明專利證書

  ICC訊  (編輯：Nicole) 東莞銘普光磁股份有限公司(以下簡稱：銘普光磁或公司)于近日取得一項中華人民共和國國家知識產權局頒發的“一種光模塊參數配置方法、裝置、設備及存儲介質”發明專利證書。

  該發明公開了一種光模塊參數配置方法、裝置、設備及存儲介質，包括：將光模塊放置在高溫環境下，當 MCU 溫度指針達到目標工作溫度時，調節激光器核心溫度值、偏壓電流值和 VEA 值，使光模塊的光功率、消光比、通道代價滿足目標值;以光模塊中 MCU 溫度指針為索引，根據服務器上預先存儲的數據庫中激光器核心溫度值、VEA 值與調節后的激光器核心溫度值、VEA 值的對應關系，動態更新本地數據庫中激光器核心溫度值、VEA 值;在常溫和低溫下分別測試光模塊的光功率、消光比和通道代價，若性能正常，則完成參數配置。

  本申請通過上述步驟將帶 EML 激光器的光模塊在高溫調試和常溫低溫測試，即能制作成品率高和合格率高的產品。

  具體情況如下：

  證書號：第 4084859 號

  發明名稱：一種光模塊參數配置方法、裝置、設備及存儲介質

  專利號： ZL 2018 1 1603013.2

  專利類型：發明專利

  專利申請日：2018 年 12 月 26 日

  專利權人：東莞銘普光磁股份有限公司

  授權公告日：2020 年 11 月 10 日

  專利權期限：20 年(自申請日起算)

  銘普光磁表示獲得發明專利有利于充分發揮公司自主知識產權優勢，完善知識產權保護體系，對公司開拓市場及推廣產品產生積極的影響，形成持續創新機制，提升公司核心競爭力。