全球功率半導體相關專利排名：美國總量第一，日企占多席位

  ICC訊  隨著5G商用落地，工業4.0的持續推進，功率半導體作為碳中和的重要技術受到廣泛關注。對比目前的Si功率器件，SiC和GaN等功率半導體具備處理高電壓、大電流的能力，且體積更小，耗電量也大幅降低。

  盡管面臨著難以加工的課題，但進入21世紀后，功率半導體相關產品不斷面世，各國紛紛展示出空前的重視。

  根據日本運營知識產權庫的Astamuse發布的數據，在2000年至2017年期間，全球37個國家共申請了4.7428萬件功率半導體相關技術專利。按國家劃分，美國的相關專利達1.3973萬件位于第一位，其次是日本的1.2872萬件，中國的8403件。

  從企業專利數量來看，日本的三菱電機排名第一，為1304件，其次是德國英飛凌(983件)，瑞薩電子(802件)，東芝(456件)。富士電機(409件)排在第六，日立制作所(398件)為第七名。

  美國公司中，英特爾以423件發明專利位居第五位，韓國的三星SDI則以280件位居第十。

  日經認為，盡管日本在世界半導體市場上的優勢地位已然暗淡，但在功率半導體領域其仍占有一席之地。另外，中國公司雖沒能躋身榜單前幾名，但觀察全球，各國近期的專利申請數的增長勢頭已經超過了美國，今后有可能會崛起。