NOEIC參展武漢光博會并成功舉辦論壇活動

  ICC訊 2021年10月27-29日期間，國家信息光電子創新中心(NOEIC)攜合作伙伴以“合作、開放、共贏”的先進光電子公共服務平臺正式亮相第十八屆“中國光谷”國際光電子博覽會，全面展示在服務體系建設、芯片設計及制造、測試封裝和特種產品等覆蓋信息光電子產品開發全流程各環節的創新成果和解決方案。

  服務平臺方面，創新中心圍繞通信應用高端光電子芯片的自主可控需求，加強III-V光芯片工藝平臺、硅光芯片技術開發平臺、封測技術開發平臺、應用技術開發平臺的能力建設，已支撐70余家產業和學術單位開展芯片產品研制和關鍵技術攻關工作，相繼取得了100G/200G硅基相干光收發芯片、400G硅光數通芯片、25G/50G III-V EML芯片及模塊等芯片的國產化突破。近期聯合PIC ecosystem、中科微光子構建更為完整的服務體系，可為國內更廣泛客戶提供覆蓋25G~400G的各類光電子芯片的設計仿真、測試分析、中試熟化和應用驗證的技術服務。

  特色產品方面，NOEIC重點展示了100G~400G相干光和數通光收發系列芯片、100G PAM4光調制器和探測器、量子通信應用核心光器件和模塊、可編程光學濾波器、超高靈敏度相干接收機等產品，為光纖通信、數據中心、量子保密通信、5G、傳感等相關行業單位提供了豐富的自主可控的產品解決方案。

  (100G~400G相干光和數通光收發系列芯片)

(可編程光學濾波器)

(C波段窄脈沖激光器模塊)

(40GHz光強度調制器)

  (30GHz光強度調制器、30GHz硅光探測器、30GHz硅光接收等系列特種光器件及量子通信應用核心光器件和模塊)

  此外，NOEIC在本次展會上現場演示了近期研制的超1Tb/s硅光收發芯片。該芯片相比于目前全球剛剛商用的400G硅光芯片，在單通道速率和單片集成通道數上均提升2倍，同時利用COB高頻封裝技術完成集成，最終在硅光芯片的單片傳輸速率上達到目前國際上報道的最好水平，展現了NOEIC在超高速光芯片技術方面的領先實力。

  (超1Tb/s硅光收發芯片現場演示)

  展會期間，來自湖北省科技廳、省知識產權局、華為、中科院、北大、武漢光電國家研究中心等單位的相關領導和專家蒞臨創新中心展位，關懷創新中心的建設與發展，開展深入洽談合作。

  (省科技廳周德文副廳長等領導專家蒞臨展臺)

  第四屆硅光產業論壇

  展會第二天，第四屆中國硅光產業論壇在會展中心的三樓宴會廳成功舉辦。本次論壇由國家信息光電子創新中心與光纖通信技術和網絡國家重點實驗室主辦，深圳市訊石信息咨詢有限公司承辦。論壇邀請了來自權威政策研究機構、知名投融資組織、以及硅光技術創新鏈、產業鏈上下游重點企業、公共服務平臺和高?？蒲性核却?，共同探討硅光技術在通信領域的廣泛應用、部署實施和行業生態圈培育、發展情況。會議取得了圓滿成功，會議內容獲得了良好的反響，根據會后數據統計，參會嘉賓達300余人。

  論壇由創新中心副董事長毛浩先生發表開場致辭。毛總首先歡迎大家的到來，并表示很高興看到硅光技術日益受到大家的重視，愿與各種攜手共創行業的美好未來。

  傅焰峰和王磊博士分別主持論壇

  傅焰峰博士首先作了題為《打造面向應用的光子集成中國芯》的開場報告，他由硅光技術的特點切入，深入介紹了創新中心在硅光芯片設計和驗證上的成果，以及在共性關鍵技術的突破。關于光電子器件集成封裝技術的演變，他指出高帶寬、高密度、低功耗是光引擎技術的競爭方向。他特別提到創新中心在集成封裝上已具備建設適應高帶寬、高密度光電集成封裝的典型工藝。

  部分嘉賓風采