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    美國、印度達成半導體合作協議

    摘要:美國總統拜登和印度總理莫迪周四在白宮宣布一系列半導體和國防協議。美光將投資超過8億美元,在印度建設價值 27.5 億美元的半導體封測廠的計劃。

      ICC訊 6月25日消息,根據經濟日報報道,美國總統拜登和印度總理莫迪周四在白宮宣布一系列半導體和國防協議。

      據悉,美光將投資超過8億美元,在印度建設價值 27.5 億美元的半導體封測廠的計劃。應用材料則將宣布在印度建立一個新的半導體商業化和創新中心!

      印度總理莫迪本周將出訪美國,此行被視為是兩國雙邊關系的轉折點,重點將放在加強國防工業合作及高科技分享。美方希望印度成為戰略伙伴,莫迪正尋求增加印度在世界舞臺上的影響力。

      周四于白宮會談兩個多小時后,拜登和莫迪宣布首次達成一系列半導體合作協議,透過利用印度的補貼,將先進技術制造引入印度。

      美光科技初期將投資超過8億美元,在印度建設價值 27.5 億美元的半導體封測廠的計劃。應用材料則將宣布在印度建立一個新的半導體商業化和創新中心。

      美國奇異計劃與印度國有企業 Hindustan Aeronautics 聯合生產用于“光輝”輕型戰斗機的 F414 引擎。

      莫迪說:“美印合作過渡到技術轉讓、共同研發和生產的關系,Hindustan Aeronautics 和奇異的協議具有里程碑意義”。

      印度企業也相應地投資美國市場,規模估計超過 20 億美元,包括南卡羅來納州的光纖廠、俄亥俄州的鋼鐵廠,以及科羅拉多州的太陽能制造廠。

    內容來自:中國半導體論壇
    本文地址:http://www.fmsd666.com//Site/CN/News/2023/06/25/20230625082516931142.htm 轉載請保留文章出處
    關鍵字: 美國 印度 半導體
    文章標題:美國、印度達成半導體合作協議
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