低損耗集成光子延時芯片取得重大突破

  ICCSZ訊 近日，38所研制的低損耗片上集成光延時芯片取得重大進展。項目經過多輪理論設計及工藝優化，現已完成了低損耗可調光延時模塊樣機研制。系統測試表明，延時模塊損耗小于4dB，可實現大于150ps的延時量，并通過熱光效應實現芯片在大帶寬范圍內延時量的精確可調。模塊樣機的損耗、延時量、延時帶寬等關鍵參數均達到國內領先水平，進入工程化實用階段。

  集成光子延時芯片可以把多個分立器件集成在一個芯片上，有效解決一致性和可靠性問題，對現有裝備的技術升級、新型相控陣雷達的研制以及下一代全光雷達的預研都具有重要意義。

  雷達系統由電向光的全面轉化是雷達發展的一個必然趨勢。傳統的相控陣雷達利用大量天線單元組成的相位陣面來合成波束實現雷達方向的掃描，每個天線單元都由獨立的移相開關控制，但體積較大，工作帶寬有限。片上微波光子技術是其發展的一個革命性節點，通過在光子芯片中集成可調光延時線陣列，可控制不同延時線之間的相位差，實現雷達方向的掃描，是實現微波光子雷達的關鍵技術。