Iccsz訊 12月8日報道,三安光電股份有限公司(簡稱三安光電)5日發布《投資合作協議》公告,公司將在福建省泉州芯谷南安園區投資成立一個或若干項目公司,投資涵蓋芯片、器件和材料的研發與產業化。
公告指出,三安光電董事會通過的《投資合作協議》,投資總額達333億元,覆蓋七大產業化項目,包括:
1、高端氮化鎵 LED 襯底、外延、芯片的研發與制造產業化項目
2、高端砷化鎵 LED 外延、芯片的研發與制造產業化項目
3、大功率氮化鎵激光器的研發與制造產業化項目
4、光通訊芯片的研發與制造產業化項目
5、射頻、濾波器的研發與制造產業化項目
6、功率型半導體(電力電子)的研發與制造產業化項目
7、特種襯底材料研發與制造、特種封裝產品應用研發與制造產業化項目
以上項目要求五年內實現投產,七年內全部實現達產,本次投資合作協議事項尚待三安光電股東大會審議批準,并根據有關規定,履行內部審議程序及信息披露義務。
專注于制造優秀的國產芯片
三安光電主要從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料的研發與應用,著重于砷化鎵、氮化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導體新材料所涉及到外延、芯片核心主業,努力打造具有國際競爭力的半導體廠商。2016年,三安光電全年營收62.7億元,同比增長29.11%,而2017年前三季度營收累計達62.8億元,同比增長40%,已經超過2016年業績;前三季度凈利潤23.77億元,同比增長58.96%。
三安光電以LED為主業,但其光通訊事業投入逐漸增強,2016年3月公司全資子公司廈門市三安集成電路有限公司擬以2.66億美元收購環宇通訊半導體控股股份有限公司(GCS),以獲得GCS射頻和光通訊元件技術水平和專利平臺,以及先進的國際管理經驗。
盡管GCS收購案最后被否,但三安光電在光通訊領域依然會堅持研發投入,這次投資也再次涉及光通訊產品的研發與制造產業化。
本次投資屬于國家著力打造的新興戰略性產業,具有節能環保等特點。符合三安光電產業發展方向和發展戰略,目的是把主業做大做強做精,可充分發揮公司產業協同效應,豐富公司產品類別,大力提升公司產品附加值,延伸公司產業鏈,有利于進一步擴大公司產能,鞏固公司行業地位,繼續提升市場占有率,開拓新的應用領域,打造具有全球影響力的化合物半導體企業。