我國晶圓制造取得突破！

  ICC訊  據中國科學院上海微系統所官方微信，近日上海微系統所魏星研究員團隊在300mm SOI晶圓制造技術方面取得突破性進展，制備出了國內第一片300mm 射頻(RF)SOI晶圓。

  團隊基于集成電路材料全國重點實驗室300mm SOI研發平臺，依次解決了300 mm RF-SOI晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應力高電阻率多晶硅薄膜沉積、非接觸式平坦化等諸多核心技術難題，實現了國內300mm SOI制造技術從無到有的重大突破。300mm RF-SOI晶圓的自主制備將有力推動國內RF-SOI芯片設計、代工以及封裝等全產業鏈的協同快速發展，并為國內SOI晶圓的供應安全提供堅實的保障。

  SOI可使用的元件范圍十分廣泛，例如通訊射頻前端的RF-SOI應用、高功率Power-SOI元件、光通訊Photonics-SOI技術等。絕緣體上硅片(silicon-on-insulator，SOI) 技術是一種在硅材料與硅集成電路巨大成功的基礎上出現、有其獨特優勢、能突破硅材料與硅集成電路限制的新技術。