光梓科技、源杰半導體聯合發布25G工業級5G前傳解決方案，助力5G產業的高速成長

  ICC訊 行業領先的高速模擬芯片廠商-光梓科技和國產激光器廠商-源杰半導體向業界推出國產工業級5G前傳高性價比解決方案：展示工業級CMOS 25G-DML Driver激光器驅動芯片和工業級25G 激光器芯片。該產品主要應用蓬勃發展的5G數據前傳市場，滿足于核心物料自主可控及成本結構持續優化的市場需求。

  25G-DML Driver因需要幾十mA的大驅動電流和調制電流，所以行業內基本上都采用如鍺化硅(SiGe)工藝來實現，因而受制于SiGe晶圓代工產能及供應鏈的局限性和風險性。光梓科技多年來致力于利用標準的CMOS制程工藝設計和產業化高速高帶寬通訊芯片及相關產品，先后完成了4x10G/1x25G VCSEL Driver/TIA等芯片的量產工作。通過創新的設計工作和完整的知識產權，光梓科技克服了CMOS工藝不能驅動大電流的瓶頸，推出了基于CMOS工藝的1x25G DML Driver + Dual CDR的產業化方案，各方面綜合性能達到了行業水平，滿足模塊和終端客戶對于5G前傳方案的性能、成本及供應鏈的需求，現已處于預量產狀態。

  光梓工業級1x25G-DML 激光驅動芯片的主要特色在以下幾點：

  1. 工藝成熟：采用標準的CMOS工藝制程 - 從晶圓制造到后端封測，整個供應鏈自主可控;

  2. 成本結構：CMOS在大批量的需求下，相比同類SiGe芯片具有極大優勢;

  3. 方便快捷：光電性能和物理尺寸等和國外主流供應商兼容，便于光模塊客戶產業化導入和物料儲備;

  4. 即插即用：3.3V單電源供電，PCB板級不需要額外的BUCK和BOOST;

  5. 兼容性好：支持國外和國內主流企業用于5G前傳的DFB工業級激光器。

  源杰半導體于2019年實現25G光芯片國產化，率先以國產化支持國內5G新基建政策;工業級25G激光器芯片普遍存在材料氧化失效與小尺寸熱堆積失效等技術難題，源杰在過去幾年進行了大量的開發資源投入并完成攻克，相關解決方案在國內具備了創新性與唯一性的優勢。源杰的該款芯片在性能與可靠性方面能完全替代國外同類產品，填補了國內空白。

  源杰25G 芯片的主要特色是：

  1. 可靠性強：該款芯片能夠勝任長期嚴苛的操作環境：-40°C~85°C;

  2. 小發散角：可匹配普通大球TO管帽，降低成本;

  3. 高功率：驅動電流小，功耗低;

  4. 高速調制：克服低溫與高溫光芯片調制速率問題，真正滿足無致冷的工業級高速產品;

  5. 特殊工藝：采用獨特的掩埋型光波導結構，頻率響應快，射頻帶寬高，在整個工業溫度范圍內確保眼圖余量大于30%。

  該方案核心性能在某國際頂尖模塊廠商的驗證效果如下：

  至此，光梓科技已經開發完成5G網絡前傳/中傳覆蓋距離所需的0-30Km完整解決方案，并具備量產出貨能力。源杰于2019年開始在25G國產激光器芯片市場持續發力，憑借其IDM開發模式，首推了25G國產光芯片，今年產品技術延伸實現50G PAM4等更高速產品，得到了海內外客戶的充分認可。

  關于光梓科技：光梓科技是我國高速光電集成芯片領域的領軍企業之一，是由國家領軍人才創新團隊在頂級風投資本的支持下創建的、研發和產業化應用于5G傳輸、數據中心、3D TOF圖像、生物傳感等市場的集成電路與系統的高科技企業。公司利用具有完整自主知識產權的CMOS高速低功耗模擬光電子芯片設計和制造技術，聯合世界領先水平的企業和學術機構，為快速增長的5G網絡、云計算、大數據中心、移動信息、生物傳感等新型數字經濟產業提供在性能、功耗、成本結構上都有極強競爭力的高品質核心產品。2020年光梓科技被權威市場分析機構和投資機構分別評為“中國5G行業30強(非上市公司)”、“中國信息光電創業企業42強”、“畢馬威中國最具投資價值半導體企業50強”。

  關于源杰半導體：源杰半導體成立于2013年，公司具備自主設計、生產制造半導體激光器芯片能力，已授權激光器專利27項;擁有數條從MOCVD外延生長、芯片生產和自動測試的生產線;產品面覆蓋2.5Gbps、10Gbps、25Gbps與50Gbps激光器，所有產品均由源杰產線自主設計、開發、制造與測試驗證，無任一生產環節委外代工制作。源杰從成立之初，已經意識光芯片全覆蓋上游生產鏈與IDM制造模式的必要性，針對國內最薄弱的外延與光柵這兩稀缺的結構設計與制程開發能力去突破，也形成現在行業里的優勢。源杰產品已廣泛應用于電信運營商、數據中心及光纖到戶等領域;持續致力于向國內外客戶提供高性價比、高可靠性產品，始終追求與客戶合作共贏。

  關于該方案更多內容和相關信息，歡迎來到2021年9月16-18日深圳光博會 - 6號展館6E121及6A63進行更多了解。