中興專家：5G中高頻器件需要產業界提前布局

  無線電頻譜是國家寶貴的戰略資源。2016年，美國率先發布5G頻率規劃，規劃了5G高、中、低頻，但在5G產業初期選擇高頻段部署5G，一時間吸引了不少國家效仿。

  不同的頻譜對器件、芯片乃至終端、基站的要求并不一致，各國的技術儲備也有明顯區別。業界專家闞潤田認為，2017年11月，中國頂住壓力，綜合考慮在芯片設計、生產制造等方面的優勢和差距，準確研判，在國際上率先發布5G中頻段頻率規劃，并率先重耕5G低頻段，與中頻段同期展開大規模部署。

  目前，3.5GHz中頻段已經成為國際5G初期部署的主流頻段。不過，今后毫米波仍將在5G商用中起到重要作用。在高頻器件領域，設備廠商對器件廠商有哪些需求和建議?在日前舉辦的2019匯芯(中國)產業技術發展論壇上，中興通訊5G規劃總工張國俊介紹，5G高頻專用器件包括相控芯片、變頻器、毫米波放大器等，技術難度高，有較長市場周期，需要做技術的提前布局。此外，中高頻共用器件如PLL/時鐘、transceiver、AD/DA、光模塊/光芯片、濾波器，同樣具備高技術難度。

中興通訊5G規劃總工張國俊

  張國俊認為，寬帶低功耗AD/DA適合5G商用競爭力的器件廠家較少，而多通道集成transceiver需要包括AD/DA、射頻等更多技術集成，終端類集成SOC還無法達到無線基站對大帶寬和高性能的要求。業界必須結合5G商用周期，制定3~5年產品路標，對這些器件所需的工藝和IP進行研發，推出具有競爭力的商用芯片。

  此外，業界傳統相控陣系統技術已有積累，但應用場景有較大差異，不適合5G商用對整機小型化、低功耗、低成本的需求，需要針對5G商用做低成本、降復雜度移植。

  在射頻器件領域，5G毫米波也缺少高集成、低功耗、低成本芯片，廠家技術需和設備商需求進行對標，實現相控陣射頻芯片的集成化和單片化。

  高頻突破1Gbps帶寬的模數轉換芯片，國內差距很大，IC企業和封測企業需要參考基站設備交付要求，提前建立產能和規模交付質量。

  對于中高頻所需的大功率器件，需要采用GaN工藝，國內GaN工藝在5G領域的應用研究起步較早，但技術能力和器件的批量性能，仍不足應對市場競爭。無論是器件制造商、5G襯底材料供應商，還是封裝測試廠商，都需要提前做好技術儲備，為GaN器件的規模量產做好準備。