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    西安三星工廠開啟工藝升級!

    摘要:三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝,并已開始大規模擴張。

     ICC訊  上周一,三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免,其中國工廠無需特別許可即可進口美國芯片設備。

      對于三星來說這無疑是一個好消息,而且他們在取得豁免后也確實在采取相應措施。據 Business Korea 報道,三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝,并已開始大規模擴張。

      消息人士稱,三星已開始采購最新的半導體設備,新設備預計將在 2023 年底交付,并于 2024 年在西安工廠陸續引進可生產第 8 代 NAND 的設備,這也被業界視為克服全球 NAND 需求疲軟導致產能下降的戰略步驟。

      公開資料顯示,三星(中國)半導體有限公司 2012 年落戶西安高新區,而三星半導體西安工廠是該公司唯一的海外存儲器半導體生產基地。

      該工廠于 2020 年增設了第二期工廠項目,目前已發展成為全球最大的 NAND 制造基地,每月可生產 20 萬片 12 英寸晶圓,這占據了三星 NAND 總產量的 40% 以上。

      三星西安工廠第一工廠投資 108.7 億美元,2017 年開始建造的第二工廠,先后投資了 150 億美元。

    內容來自:中國半導體論壇
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