將首發供應DDR4：國產17nm內存芯片良率或達40%

  ICC訊 今年合肥長鑫將推出下一代17nm工藝內存芯片，首發產品是DDR4。

  來自大摩的分析稱，合肥長鑫的17nm工藝DRAM芯片良率已經達到了40%，預計Q2季度就會給客戶供應產品，其成本相比臺系廠商的20nm、25nm工藝內存更有優勢。至于生產方面，大摩稱合肥長鑫的產能今年會增加到8萬片晶圓/月，并在北京新建工廠，量產17nm工藝內存芯片。

  此外，長鑫還會研發7nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內存，再下一代的10G5工藝中，除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。在2020年、2021年，長鑫分別實現了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標，2022年的產能目標是12萬片晶圓/月，未來的產能目標是30萬片晶圓/月。