臺積電2nm工藝研發進展超預期 將采用環繞柵極晶體管技術

  ICC訊 9月22日消息，據國外媒體報道，在5nm工藝今年一季度投產，為蘋果等客戶代工最新的處理器之后，芯片代工商臺積電下一步的工藝研發重點就將是更先進的3nm和2nm工藝。

  在7月16日的二季度財報分析師電話會議上，臺積電CEO魏哲家透露，他們3nm工藝的研發正在按計劃推進，仍將采用成熟的鰭式場效應晶體管技術(FinFET)，計劃在明年風險試產，2022年下半年大規模投產。

  與多次提及的3nm工藝不同，臺積電目前并未公布太多2nm工藝的消息，在近幾個季度的財報分析師電話會議上均未曾提及。

  雖然臺積電方面未對外公布2nm工藝的消息，但外媒援引產業鏈人士透露的消息，還是進行過多次報道。

  在最新的報道中，外媒援引產業鏈消息人士的透露報道稱，臺積電2nm工藝的研發進展超出預期，快于他們的計劃。

  這一消息人士還透露，臺積電的2nm工藝，不會繼續采用成熟的鰭式場效應晶體管技術，而會采用環繞柵極晶體管技術(GAA)。

  在此前的報道中，外媒提及的與臺積電2nm工藝相關的信息，出現過兩次，均是在8月底。其一是臺積電已在謀劃2nm工藝的芯片生產工廠，將建在總部所在的新竹科學園區，臺積電負責營運組織的資深副總經理秦永沛，透露他們已經獲得了建廠所需的土地。第二次是在上月底的臺積電2020年度全球技術論壇上，他們透露正在同一家主要客戶緊密合作，加快2nm工藝的研發進展，相關的投資也在推進。