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    硅光持續引領技術變革 ICC訊石第七屆硅光產業論壇圓滿舉辦

    摘要:5月16日,由國家信息光電子創新中心、鵬城實驗室、硅基光電融合創新聯合體主辦,ICC訊石承辦的第七屆硅光產業論壇在光谷會展中心圓滿舉辦!現場迎來400余位行業精英、科研巨匠以及企業翹楚,共同聚焦硅光技術前沿,深入探討其在多領域的創新應用與未來發展藍圖,為推動硅光產業邁向新高度搭建了一座意義非凡的交流橋梁。

          ICC訊 在科技浪潮洶涌澎湃的當下,硅光技術作為引領信息通信與光電子領域變革的關鍵力量,備受矚目。2025年5月16日,由國家信息光電子創新中心、鵬城實驗室、硅基光電融合創新聯合體主辦,ICC訊石承辦的第七屆硅光產業論壇在光谷會展中心圓滿落下帷幕,這場論壇匯聚了來自全球各地的400余位行業精英、科研巨匠以及企業翹楚,共同聚焦硅光技術前沿,深入探討其在多領域的創新應用與未來發展藍圖,為推動硅光產業邁向新高度搭建了一座意義非凡的交流橋梁。以下簡要回顧論壇現場的盛況瞬間:

    論壇現場

    鄭彥升  國家信息光電子創新中心 副總經理

          鄭總在致辭中提到,創新中心首次驗證了1.6T的硅光產品。目前來看,無論是技術的發展還是市場的需求,硅光技術都在全面發展。當然在克服技術難點及量產成本方面,硅光產業還是需要全產業鏈的協同努力,一起攻克難題。

          K1《面向AI及智能應用的VCSEL激光芯片》

    常瑞華 博升光電 董事長/中國工程院外籍院士

          常院士演講提到,VCSEL面發射激光芯片具有晶圓規模制造、高效率光耦合、低功耗、可以制造大陣列、晶圓規模測試的優勢,不過傳統VCSEL技術也面臨了一些挑戰:外延非常厚,高反射DBR非常厚、因為基于周期性的累加。

          目前來看,高速光互連技術是 AI 時代的剛需,AI 以并行計算為主,核心處理器 GPU 集群內和與上層交換機之間的通信需要高速率短距離(30-100米內)通信。Nvidia Blackwell GB200,運算能力比H100 芯片提高了 30 倍,也要求更快的數據吞吐能力。高速100G 和200G VCSEL光芯片有低功耗, 低時延,低成本,高帶寬密度是最佳選擇。

          常院士也分享了博升光電在偏振結構光3D視覺相機方面做出的努力成果,能夠解決多徑和鏡面反射痛點等難題。還提到博升光電應用于智算中心的高速VCSELs目前已量產出貨 25Gbps/53Gbps 芯片。

          K2 《光電融合信號處理在光通信中的應用》

    王磊 鵬城實驗室 研究員

          王老師在演講中分享了利用光芯片?光纖信道特性,通過光電融合信號處理提升信號速率和降低dsp復雜度方面的工作。介紹了鵬城實驗室308Gbps PAM4硅基光電集成發射機,單片頻譜拼接單波 1.6T相干調制器,無色散dsp C波段傳輸300Gbps PAM8,基于42Hz窄線寬激光器的同源簡化相干,以及基于空芯光纖的無色散DSPC波段單纖4Tbps的傳輸實驗等。

          K3 《CPO下的硅光芯片設計與挑戰》

    周錚 Ansys應用工程師主管

      Ansys在光學和通信領域提供了一系列專業軟件工具,覆蓋從光子器件設計到通信系統仿真的全鏈條需求。我們與武漢光谷的光通訊,光電子,激光,傳感領域的產業界和學術界進行了深度接觸與交流。伴隨著硅光,CPO,激光器快速發展,我們愿意為中國客戶的升級發展添加力量。

          K4 《超高速硅光模塊發展趨勢》

    Dr. Yu Haijiang 華工正源 硅光專家

          華工正源硅光專家在演講中提到,AI算力時代的硅光模塊具有一定的技術優勢,AIGC 驅動硅光 800G/1.6T 加速滲透,預計2030年市占率約50%;硅光模塊也是低功耗方案的選擇。

          華工正源的硅光方案具有五大優勢:

          · 自研硅光平臺:設計-流片-量產全鏈條研發實力, 800G LPO 量產商用階段

          · 完備領先的1.6T 硅光方案: DPO/LRO/LPO,2025 OFC 實時展示領先性能

          · 成熟的量子點激光器/TFLN模塊方案

          · 單波400G 光引擎 2025 OFC 實時展示

          · CPO 開始研發布局落地

          華工正源也希望與產業上下游一起努力共建國內產品級硅光流片平臺和成熟的硅光產業鏈。

          K5 《智算中心硅光互聯關鍵技術及發展態勢》

    劉璐 信通院高級工程師

          劉工在演講中提到,隨著智能算力需求激增,光互聯已成為智算領域博弈新焦點,硅光在智算中心內的光模塊/CPO/OIO應用、光電混合組網、可靠性保障方面發揮重要作用。

          而在光模塊方面, 400G提出新方案,800G市場大幅上漲,1.6T及以上技術方案與硅光樣品競相涌現,硅光可能用于3.2T,也是單通道400G線性方案的選項之一。

          至于CPO/OIO方面, 硅光方案為當前主流,CPO未來將與多種形態并存發展,面向算存高速互聯的OIO持續演進。

          光電混合組網方面,萬卡集群高性能互聯走向光電混合組網,硅光OCS嶄露頭角。

          在可靠性保障方面,智算中心故障風險大幅提升,AI助力提升智算中心光互聯可靠性,硅光方案在可靠性方面表現良好。

          劉工也呼吁多巨頭深耕硅光集成平臺,硅光將進一步發揮混合集成/異質集成優勢,助力智算光互聯發展。

          K6 《面向冷原子應用的窄線寬集成化光源》

    李宗陽 國家信息光電子創新中心

          李博的演講介紹了激光線寬與相干性的市場需求,異質異構光電芯片器件集成技術具有更高的系統集成度、更小的體積和功耗、更窄的激光線寬、更高的頻率/光強/偏振穩定性、更大的無跳模調諧范圍等優勢特點。此外還介紹了未來基于異質異構光電集成技術的激光器發展趨勢。

          李博還介紹了創新中心在III-V族光電器件芯片工藝平臺、硅光集成芯片工藝平臺和芯片測試及器件封裝工藝技術平臺所具備的優勢,歡迎有合作需求的朋友聯系創新中心了解詳情。

          K7 《硅光集成技術應用探討》

    沈世奎 中國聯通研究院光傳輸 首席研究員

          沈總演講提到了目前光芯片器件市場仍以III-V 族材料為主,但硅光集成材料市場份額逐步提升;兩者不是替代關系,共同發展,各有側重;最終用戶,并不以材料體系和技術實現來選擇解決方案,而是以能否滿足應用需求,低成本建網為目的。

          在超100G短距離應用中,硅光集成技術存在優勢,更多應用仍然是來自數據中心,尤其是智算中心的大規模建設階段。

          沈總認為,如何讓電信網絡共享數據中心產業鏈紅利,是當前需要考慮和解決的問題。

          在城域相干應用中,尤其是在當前波分技術下沉的大行業背景下,沈總表示,硅光集成技術存在優勢和應用潛力。

          K8 《MKS Solution for Silicon Photonics》

    泮懷海 MKS Newport資深應用工程師

          泮工主要介紹了MKS Newport在硅光方面的先進測驗方案,以及針對硅光的一些MKS Demo分享,MKS公司無錫實驗甚至還搭建了硅光Demo系統,歡迎有興趣的朋友詳細了解。

          K9 《PIC Studio協同Foundry生態系加速硅光芯片全流程開發》

    陳昇祐 逍遙科技 CTO

          陳總演講提到,為了克服傳統硅在高功率下的高損耗和溫度敏感性問題,先進的硅光平臺整合低損耗的氮化硅 光學構建模組。在 300mm 晶圓上成功整合氮化硅,實現了優化的波導、彎曲、轉變結構和邊緣耦合器,展現低損耗和高均勻性。

          隨著 PIC 設計復雜度不斷增加(例如單一 PIC 整合超過 50 個元件以實現 800G/1.6T 傳輸),電子/光子設計自動化 (EPDA) 工具變得很重要。逍遙科技的PIC Studio 是一個整合式 EPDA 解決方案,提供從元件、電路到系統的統一設計流程。其包含關鍵工具如 PhotoCAD (布局)、pMaxwell (元件模擬)、pSim (光電鏈路模擬)、pSim Plus (系統模擬,支援 DSP, BER/TDECQ, 光纖/電氣鏈路分析)、Advanced SDL (原理圖驅動布局)和 pVerify DRC (設計規則檢查)。這些工具支援 PDK/ADK 及電子/光子協同設計。

          整個產業流程從設計到封裝測試都緊密關聯,先進封裝(如 2D/2.5D/3D 和 EIC+PIC 整合)是實現高性能的關鍵。EPDA 工具也支援與封裝相關的分析,例如 pSim Plus 可進行電氣鏈路的 S-parameter 或 TDR 分析。歡迎有興趣的朋友詳細了解。

          K10 《薄膜鈮酸鋰光子集成芯片》

    夏金松 華中科技大學 教授

          夏教授介紹了作為“光學硅”的單晶薄膜鈮酸鋰,是實現高性能光子芯片自主可控的重要機遇。 夏教授介紹了作為“光學硅”的單晶薄膜鈮酸鋰,是實現高性能光子芯片自主可控的重要機遇。
          薄膜鈮酸鋰調制器擁有高帶寬低損耗等優勢,是下一代高性能光互連技術的基礎材料。薄膜鈮酸鋰也面臨一些挑戰,例如低成本大規模制備工藝。夏教授領導的團隊已實現產品級8英寸薄膜鈮酸鋰流片工藝,制備出符合通信產品需求的低損耗高帶寬薄膜鈮酸鋰調制器芯片及器件。在演講中還提到了尚處在研究階段的新型調制器——薄膜鈦酸鋇電光調制器、薄膜鉭酸鋰電光調制器的特點和面臨的挑戰。
          總體而言,薄膜鈮酸鋰光子集成芯片已解決大規模生產的問題,正走向大規模應用,薄膜鈮酸鋰光子集成芯片正向更高帶寬、更小尺寸、更高集成度、更多功能發展。

          K11 《硅光超100Gbaud相干收發一體光引擎:從光電共設計到光電合封》

    余勝 傲科光電 硅光設計總監

          余總主要介紹了傲科針對800G相干應用的硅光芯片,電芯片開發,以及光電集成相關工作的最近進展。

          光電集成是相干光模塊演進的必然趨勢;而3D堆疊光電合封的集成方案在性能,交付界面,以及技術可延展性上相對其他方案有明顯優勢。

          傲科光電拉通了3D堆疊光電合封從芯片設計,封裝設計,到工藝開發到生產測試的各個技術環節,成功研發出了國內首款應用基于3D堆疊光電合封的COSA,可以支持400G-ZR應用。

          傲科光電基于3D堆疊光電合封技術,通過光電協同設計,相干硅光收發一體光引擎可以滿足超100Gbaud相干系統應用需求,并且無光放情況下,能夠滿足800G-ZR Class A的應用需求。

          K12 《智算光互聯時代-硅光子從Pluggable到光引擎的演進》

    尹延龍 阿里巴巴光網絡技術專家

          在光模塊占比分析中,尹總演講分享到,400G/800G的DSP類型光模塊占絕大多數,其中DSP直驅成為主流,具有功耗和成本優勢;LPO處于小規模部署階段。而到了1.6T,DSP-光模塊占比就在減小了,受限功耗因素,LPO光模塊的數量有所增加,但面臨LRO的競爭。未來再到3.2T,CPO的數量會有所增加(受限帶寬進一步提升,PCB損耗、功耗、散熱等)。

          因此,智算互聯也就催生了關鍵硅光子技術的演進方向朝著高速高密的方向前進。但過程中也會出現一些困難點,畢竟光學和電學性能的改善最終統一到更低的單位bit能耗,光和電的優化就需要找到一個平衡點和標準,從產品的角度看能耗和成本也存在一個權衡。


          伴隨本屆硅光論壇的圓滿落幕,硅光所釋放的產業動能持續激蕩。硅光技術必將在產學研用深度融合的灌溉下,成長為推動行業發展的參天大樹。也祝愿未來硅光產業界繼續攜手攻克技術壁壘,加速成果轉化,向著更高速、更智能、更綠色的技術高峰奮勇攀登,共同書寫硅光產業創新發展的嶄新篇章。

          更多光通信及跨界主題會議,敬請關注ICC訊石各大會議活動,在智算時代為企業發展構建更多謀算。

    內容來自:訊石光通訊網
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