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    總投資6億元,芯元基第三代半導體氮化鎵項目落戶安徽池州

    摘要:上海芯元基第三代半導體氮化鎵項目正式簽約落戶安徽池州高新區。該UVA及DPSS項目總投資6億元,規劃用地約100畝。

      ICC訊  11月20日,上海芯元基半導體科技有限公司(簡稱“芯元基”)第三代半導體氮化鎵項目正式簽約落戶安徽池州高新區。

      據池州日報報道,該UVA及DPSS項目總投資6億元,規劃用地約100畝,分兩期建設:其中一期投資2億元,打造一條GaN基DPSS襯底生產線,一條UVA365nm芯片生產線,并建設配套設施等;二期投資4億元,建設行政、生產一體化廠房及配套, 計劃于2023年6月前實現年度銷售收入不低于1億元。

      芯元基成立于2014年10月24日,是一家半導體元器件研發生產商,主要從事以GaN為主的第三代半導體材料和器件開發,具有自主知識產權的復合圖形化襯底(DPSS)、藍寶石襯底化學剝離和晶圓級芯片封裝等LED芯片創新技術。

      今年6月,芯元基完成了870萬元A+輪融資,投資方為中微公司等。

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