II-VI與SEDI合作 打造150mm晶圓制造平臺

  ICCSZ訊（編譯：Nina）日前，領先的化合物半導體解決方案供應商II-VI公司(納斯達克：IIVI)，宣布與住友電工(TYO：5802)旗下子公司住友電氣設備創新公司(Sumitomo Electric Device Innovations，SEDI)進行戰略合作，打造一個垂直整合的150mm晶圓制造平臺，來制造最先進的碳化硅(SiC)襯底氮化鎵(GaN)HEMT器件，以支持下一代無線網絡。

  部署下一代寬帶無線服務的競爭正在推動具有關鍵支持技術的可擴展戰略供應鏈的發展。II-VI在150mm化合物半導體制造方面的領導地位與SEDI在GaN RF器件技術方面的領先地位相結合，將使雙方能夠帶來具有一流性能、更大規模和更具競爭力成本的5G RF解決方案。

  SEDI公司總監Keiichi Imamura表示：“II-VI已投入大量資金建立世界級的150mm化合物半導體制造平臺。面對快速增長的市場機遇，現在是時候將我們長期的商業關系發展成全面戰略關系。我們將利用II-VI的制造平臺實現規模經濟，以滿足即將到來的全球化碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件需求?！?

  II-VI公司總裁兼首席執行官Chuck Mattera博士表示：“我們很高興與無線通信應用的高性能氮化鎵HEMT產品市場領導者SEDI合作。這種合作將打造一個從基板到RF模塊的差異化、垂直整合的價值鏈解決方案。將SEDI業界領先的HEMT器件技術與我們的150mm制造平臺相結合，將加速兩家公司的寬帶RF產品路線圖，并在未來數年內確保領先的技術和市場地位。為迎接產能需求的攀升，我們正在準備一個150mm的半絕緣基板制造平臺，并擴展我們的新澤西Warren工廠，以將這些核心技術增加到我們不斷增長的光電器件制造能力中?！?

  II-VI的新澤西州Pinebrook工廠和伊利諾伊州Champaign工廠滿足寬帶隙半導體材料快速增長的市場需求。公司位于新澤西州Warren的150mm生產設施預計將在2020年中期完成碳化硅襯底氮化鎵(GaN-on-SiC)HEMT器件的生產認證。