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    激光器芯片技術:EML vs DML

    摘要:100G QSFP28光收發器是當前光通信市場重點部署的產品,由于EML供應的嚴重短缺,設計人員不得不采用DML作為替代方案。隨著商用產品數量已經擴大一倍,從性能和成本的角度來看EML和DML方案面臨著不同的問題。

      100G QSFP28光收發器是當前光通信應用市場重點部署的產品類型,盡管業內初始設計方案是使用EML(電吸收調制器激光器),但由于EML供應的嚴重短缺,造成光收發器設計人員不得不采用DML(直接調制激光器)作為替代方案。如今,商用產品的種類已經擴大了一倍,并且從性能和成本的角度來看,光模塊EMLDML方案所遇到的問題也是不同的。

      什么是激光器

      激光即“受激輻射光放大”的簡稱。換而言之,將電流施加到“光增益介質”材料上,并由該材料激發具有額外能量的電子,這些電子經過一段時間后失去能量的同時,它們會釋放一個光子(一種光粒子),釋放光子是激光的“受激輻射發射”部分。此時,光的能量依然微弱,兩側的腔面來回反射光,并撞擊材料的其他部分,使這些部分也釋放光子,進而產生更多的光,這就是“光放大”。當材料所有部分都產生光時便達到飽和,這些光在非常窄的波長下產生非常強的光束,我們將其稱為激光束。光穿過兩個腔面之間的材料,在它們之間來回反射光線。然而,其中一個腔面只能部分反射光線,讓一些光線逃逸,而逃逸的光構成激光束。

    Source: researchgate.net

      DML(直接調制激光器)

      DML設計采用分立反饋結構,其波導擁有一個衍射光柵來穩定工作,進而實現直接調制。它的激光器是分立反饋激光器(DFB)。對于DML激光器而言,調制速度和傳輸距離是隨激光器的頻譜線寬而變化。事實上,線寬越窄。調制速度(速率)就越高,傳輸距離也越長。

      基本上,“1”和“0”序列通過調制注入電流被放置在光信號上,這就像一個開/關電信號。因此,DML設計需要由電流直接調制光信號,方法是將激光器“打開”以產生“1”或“關閉”以產生“0”。該調制注入電流由外置IC電路產生,驅動激光器以產生光輸出功率。

      但是,直接調制會改變激光的特性,例如折射率,從而導致較大的色散。與EML相比,由于更大的色散、更低的頻率響應和相對較低的消光比,DML的性能在較遠距離(>10公里)時會下降。DML本身是一個單芯片,為運作提供了比較簡單的電路布局。因此,它將實現更緊湊的設計和更低的功耗。

      EML(電吸收調制激光器)

      EML是指集成外置調制器的激光器,這種外置調制器被稱為電吸收調制器或單片集成EAM。EML結構和DML相同,但是與DML不同的是EML信號調制不在電側而在EMA側,這表示電信號產生連續的光信號,而電信號on/off是在EAM調制光信號之后進行。

      與DML設計相反,EML設計不直接調制激光,擁有不改變激光特性的特點。EML在高速、長途傳輸應用上具有優勢,這是因為它的更小的色散和在高速工作下的穩定波長。

      EML設計需要更高的功率和更復雜的電路布局來實現運作。EMLDML設計都遵循行業MSA標準,兩種設計都在100G QSFP28收發器上實現了商用。事實上,一個QSFP28 LR4模塊采用兩種設計方案制作,對于理解這兩種設計所產生的性能區別而言十分重要。

      文章來源:Skylane Optics

      https://www.skylaneoptics.com/en/articles/eml-vs-dml/

    內容來自:訊石光通訊咨詢網
    本文地址:http://www.fmsd666.com//Site/CN/News/2022/01/05/20220105063914023397.htm 轉載請保留文章出處
    關鍵字: EML DML 光模塊
    文章標題:激光器芯片技術:EML vs DML
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