上海光機所基于自制的摻鉍光纖實現了E波段的寬帶放大

  近期，中國科學院上海光學精密機械研究所高功率激光單元技術實驗室研究團隊采用改進的化學氣相沉積技術結合液相摻雜工藝(MCVD)制備出了國內第一根低損耗Bi/P共摻石英基光纖，并且在國內首次實現了E波段寬帶放大，相關成果以“High gain E-band amplification based on the low loss Bi/P co-doped silica fiber”為題發表在Chinese Optics Letters上。

圖1 摻鉍光纖(a)背景損耗譜與(b)吸收譜。

  隨著互聯網，云計算，物聯網等技術的快速發展，急劇增加的信息量對光纖通信系統的傳輸容量提出了更高的要求，傳統的工作于C+L波段的摻鉺光纖放大器(EDFA)已經不能滿足未來通訊需求。近年來，具有超寬帶近紅外發光特性的摻鉍光纖成為該領域的關注重點。

圖2 單級摻鉍光纖放大器實驗裝置圖。

  研究團隊采用改進的化學氣相沉積技術結合液相摻雜工藝(MCVD)制備出低損耗Bi/P共摻石英基光纖，光纖的背景損耗低至17dB/km。團隊基于該自制光纖搭建了光纖放大器，系統地比較了不同泵浦方式和泵浦波長下放大器的增益性能以及光纖長度，泵浦功率，信號功率與增益的關系。采用雙向泵浦方式，泵浦波長為1240nm，總泵浦功率為870mW，信號功率為-30dBm，190m長摻鉍光纖在1355nm處獲得的最高增益接近20dB，最小NF為4.6dB。

圖3 雙向泵浦下摻鉍光纖放大器增益特性。(a)增益隨光纖長度的變化。(b)增益，NF與信號功率的光系。(c)增益，NF與泵浦功率的關系。

  這是國內首次利用自制的低損耗摻鉍光纖實現凈增益。該類光纖的成功研制有望加快推進我國摻鉍光纖放大器及激光器的自主研制，滿足寬帶放大器對摻鉍寬帶增益光纖材料國產化的迫切需求。

  相關研究得到了國家科技部重點研發項目支持。

  論文鏈接：https://opg.optica.org/col/abstract.cfm?uri=col-20-10-100602