格羅方徳公布新硅光子學路線圖 滿足未來數據中心連接需求

  Iccsz訊 近日，位于美國加州的格羅方徳(GlobalFoundries)公司透露了其硅光子學路線圖的新細節，以實現下一代數據中心和云的光互連應用。該公司首套使用300mm晶圓的90nm制造工藝已經經過認定，同時還即將推出45nm工藝技術，以提供更高的帶寬和能源效率。通過GlobalFoundries的硅光子技術能夠支持傳輸數據的大幅增長對全球通信基礎設施提出的更高需求。

  格羅方徳的硅光子技術

  GlobalFoundries的硅光子技術能夠將光學元件與電路并排集成在單個硅芯片上。這種單片方法能夠利用標準硅制造技術來提高生產效率并降低部署光互連系統的成本。

  GlobalFoundries的銷售和ASIC業務部門高級副總裁Mike Cadigan說：“數據對帶寬的急劇需求推動了對新一代光互連的需求，我們的硅光子技術能夠為客戶提供前所未有的連接性能來傳輸海量數據，無論是在數據中心內的芯片之間，還是跨越數百甚至數千英里的云服務器之間。結合我們先進的ASIC和封裝能力，這些技術能夠讓我們為這個市場提供高度差異化的解決方案?！?

  GlobalFoundries的硅光子產品利用其在制造高性能射頻芯片方面的經驗，采用90nm RF絕緣體上硅(SOI)工藝制造。該平臺能夠提供30GHz帶寬的解決方案，支持高達800Gbps的客戶端數據速率以及長達120km的長距離互連。

  射頻SOI工藝向300mm晶圓轉移

  該工藝技術以前使用200mm晶圓加工生產，現已在紐約East Fishkill的GlobalFoundries Fab 10工廠的300mm晶圓上獲得認證。向300mm晶圓的遷移使得客戶能力提高，制造生產力提高，光子損耗降低2倍，從而提高覆蓋范圍，實現更高效的光學系統。

  90納米技術由Cadence Design Systems提供完整的工藝設計套件(PDK)，包括的E/O/E協同設計、偏振、溫度和波長參數以及差分光子測試功能，包括從技術驗證到建模的五個測試部分，到多芯片模塊(MCM)產品測試等。

  45nm射頻SOI技術即將量產

  GlobalFoundries的下一代單片硅光子產品將采用45nm射頻SOI工藝制造，預計2019年投產。通過利用更先進的45納米節點，該技術將實現功耗降低、尺寸更小、光帶寬度更高的光收發器產品，來解決下一代太比特應用。

  其45nm射頻硅SOI技術平臺已通過驗證并準備就緒在美國紐約州East Fishkill的300mm生產線進行批量生產。目前有多家客戶參與了先進RF SOI工藝，該工藝針對5G毫米波(mmWave)前端模塊(FEM)應用，包括未來的智能手機和下一代毫米波波束成形系統。

  該公司的45RFSOI平臺針對波束形成FEM進行了優化，其特點是通過結合高頻晶體管、高電阻率SOI襯底和超厚銅布線來提高射頻性能。此外，SOI技術可輕松集成功率放大器、開關、低噪聲放大器(LNA)、移相器、上/下變頻器和壓控振蕩器(VCO)/鎖相環(PLL)，從而降低成本、尺寸和功耗，以用于未來每秒數千兆比特通信系統，包括互聯網寬帶衛星、智能手機和5G基礎設施等。