下一代100G光纖接入網關鍵組件獲突破：SiFotonics 25G APD TO-Can

　　ICCSZ訊     SiFotonics Technologies近期正式推出針對下一代100G-PON光接入技術的硅光低成本25G APD TO-Can T6AP20M3-05，其1310nm靈敏度達-28.5dBm  (BER=1e-3)，為目前業界最高性能，此低成本高性能方案將助力100G光纖接入到千家萬戶成為現實。

　　SiFotonics 25G APD TO-Can T6AP20M3-05

　　虛擬現實、智能家居、4K/8K超高清視頻、物聯網等新興業務對光纖到戶的龐大帶寬訴求正在加速到來。作為后10G-PON時代光接入技術國際標準的主要方案之一，100G-PON提供25G單波速率，100G單纖容量，為每用戶提供1G以上超高帶寬，將目前的GPON/EPON接入速度提升至少40倍。目前，100G-PON已在IEEE/FSAN/ITU-T等標準化組織中立項，預計未來3-5年內登場，然而其關鍵組件25G APD一直未成熟。

　　T6AP20M3-05基于SiFotonics自主開發的25G Ge/Si APD芯片AP2005，使用傳統低成本TO-46封裝。作為最好的雪崩材料之一，硅擁有很小的過剩噪聲因子和很大的增益帶寬積，這使得在高速(10Gb/s或更高)工作條件下，Ge/Si APD可以實現比傳統III-V APD更高的靈敏度。此外，SiFotonics Ge/Si APD由8英寸CMOS晶圓廠代工，具有高產量、低成本優勢，極適合未來的海量100G-PON光接入市場。

　　下圖為T6AP20M3-05的靈敏度測試結果：

　　Back-to-back sensitivity of 25G APD TO-Can T6AP20M3-05

　　(λ=1309.14nm, ER=9.5dB, 25.78Gbps, 2^31-1, NRZ, w/o CDR, 25ºC)

　　T6AP20M3-05 1310nm靈敏度達到-28.5dBm  (BER=1e-3)，此結果超過III-V器件，為目前業界最高性能。產品推出后市場反響強烈，短短兩個月已有超過三十家業界一流公司客戶，其優異性能得到了多家客戶的驗證。在最近的IEEE標準會議中，得到眾多國際一流廠商的支持。

　　SiFotonics CEO潘棟博士表示：“目前市場上的光纖到戶容量，有幾億用戶，這些用戶未來都會升級，有些已經開始升級到10G-PON。我們能夠提供類似成本結構的10G到100G芯片和組件技術，這會幫助推動現有用戶升級到10G，并使得進一步演進到100G的路線變得現實清晰。”

　　關于SiFotonics：

　　SiFotonics Technologies致力于成為硅光子器件與集成技術的開創者與領導者，為客戶提供下一代高速光電集成解決方案。自2006年以來，公司一直致力于硅光子技術的研究與產品化，與CMOS Foundry合作開發專屬硅光產線。SiFotonics已實現鍺硅光電探測器(Ge/Si PIN)、鍺硅雪崩光電探測器(Ge/Si APD)等產品的量產化，現已向市場全面推出2.5G/10G/25G PIN/APD芯片及其陣列，覆蓋波長范圍850nm~1577nm。目前該產線也已完成硅光子集成技術的相關工藝調試，并成功試產高性能100G相干接收機芯片CR4Q01。不久，SiFotonics將推出面向數據中心應用的100G集成收發芯片。