中國信科成功研制國內首款1.6Tb/s硅光互連芯片

  ICC訊 近日，中國信息通信科技集團光纖通信技術和網絡國家重點實驗室聯合國家信息光電子創新中心(NOEIC)、鵬城實驗室，在國內率先完成1.6Tb/s硅基光收發芯片的研制和功能驗證，實現了我國硅光芯片技術向Tb/s級的首次跨越，為我國下一代數據中心內的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案。

  光芯片是光通信系統中的關鍵核心器件，硅光芯片作為采用硅光子技術的光芯片，是將硅光材料和器件通過特色工藝制造的新型集成電路。相對于傳統三五族材料光芯片，因使用硅作為集成芯片襯底，硅光芯片具有集成度高、成本低、光波導傳輸性能好等特點。目前，國際上400G光模塊已進入商用部署階段，800G光模塊樣機研制和技術標準正在推進中，而1.6Tb/s光模塊將成為下一步全球競相追逐的熱點。

  在本次1.6Tb/s硅基光收發芯片的聯合研制和功能驗證中，研究人員分別在單顆硅基光發射芯片和硅基光接收芯片上集成了8個通道高速電光調制器和高速光電探測器，每個通道可實現200Gb/s PAM4高速信號的光電和電光轉換，最終經過芯片封裝和系統傳輸測試，完成了單片容量高達8 × 200Gb/s光互連技術驗證。該工作刷新了國內此前單片光互連速率和互連密度的最好水平紀錄，展現出硅光技術的超高速、超高密度、高可擴展性等突出優勢，為下一代數據中心內的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案，將為超級計算、人工智能等新技術、新產業蓬勃發展提供有力支撐。