臺積電2nm工藝重大突破！

  ICC訊  一直以來臺積電在半導體領域都是處于全球領先水平，其5nm工藝制程的芯片已經大規模量產?，F在據臺媒報道，臺積電2nm工藝取得重大突破。

  據報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發進度超前，業界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到90%。

  供應鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場效應晶體管(FinFET)，臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構。

  據了解，臺積電去年成立了2nm專案研發團隊，尋找可行路徑進行開發?，F在在2nm工藝上有所突破也將在未來代工方面帶來優勢。

  現在臺積電5nm工藝已經獲得了蘋果的訂單，其它產能也被高通、ADM等廠商占用，如果2nm工藝量產，那么勢必比競爭對手快一大截，將會獲得更多的訂單。