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    硅光芯片走向成熟 SiFotonics全面進入光器件市場

    摘要:SiFotonics Technologies宣布其硅光PD/APD芯片相關產品已經過市場檢驗逐漸走向成熟,將借助硅光子技術顯著的成本優勢全面進入傳統光器件市場。

      ICCSZ訊   SiFotonics Technologies宣布其硅光PD/APD芯片相關產品已經過市場檢驗逐漸走向成熟,將借助硅光子技術顯著的成本優勢全面進入傳統光器件市場。

      時機成熟

      經過近十年的努力和積累、數代產品的更迭,SiFotonics的鍺硅PD/APD芯片已在性能、量產能力、可靠性等方面得到足夠的市場檢驗,目前各類產品已累計出貨近100萬顆,全面進軍市場的時機已經成熟。

      高性價比

      SiFotonics利用世界領先的硅光技術,由一流CMOS工廠代工生產8英寸PD/APD晶圓。借助硅光技術固有的成本優勢,SiFotonics能夠給出比同類產品更低的價格,以幫助客戶降低成本。

      

      SiFotonics’ 8 inch Ge/Si APD wafer mass-produced in standard CMOS foundry

      “這并不是價格戰,”SiFotonics CEO潘棟博士說,“硅光是一種顛覆性技術,相對的低成本是必然的結果之一。我們的芯片得到了國內外眾多廠商的支持和反復驗證,目前各方面已經成熟,現在正是我們用高性價比的產品回饋市場的最佳時機。相比傳統的單通道器件,我們能保證至少20%的價格優勢,當然,只要量夠大,還可以有更大空間。”

      “很多時候, 硅光產品又好又便宜,”潘棟博士補充道,“ 例如我們的10G APD已被眾多客戶證實在很多應用場景下表現比傳統III-V器件好。比如基于我們的10G 1550nm APD芯片的ROSA產品,靈敏度平均值達到-28.5dBm,已明顯超過傳統器件。”

      此外,硅基技術還帶來另一個潛在優勢:非氣密封裝——這種低成本封裝形式將有可能帶來超過芯片本身的更為誘人的成本削減。目前SiFotonics 與多家客戶合作開發非氣密封裝的光器件,經過驗證其可靠性完全滿足要求。

      著眼未來

      鍺硅APD的性能優勢在更高速率下更加明顯,SiFotonics近期推出的25G APD芯片及TO-Can性能已做到業界最高,此產品將有望推動100G-PON標準的建立和100G光纖接入技術的更快實現。

      立足于硅光子技術,SiFotonics已有能力提供2.5G到25G全速率、全波段的PD/APD解決方案,這也使得客戶有機會制定更全面、更具持續性的技術路線。

      “這僅僅是個開始,”潘棟博士表示,“提供高性價比的分立器件只是我們技術路線的第一步,我們的高集成化硅光芯片已進入客戶評估階段。很快,市場會感受到更為強勁的硅光集成芯片的沖擊。”

      關于SiFotonics

      SiFotonics Technologies致力于成為硅光子器件與集成技術的開創者與領導者,為客戶提供下一代高速光電集成解決方案。SiFotonics成立于2006年底,由一批業界中極具長遠目光的投資人投資,創始人與技術骨干來自于MIT、清華大學等國內外一流高校,與世界一流半導體制造廠商合作, 埋頭開發硅光子芯片產線及產品近十年, 現已向市場全面推出全速率、全波段PD/APD成熟產品,并逐漸走向集成化。

      Contact: sales@sifotonics.com

    內容來自:訊石光通訊咨詢網
    本文地址:http://www.fmsd666.com//Site/CN/News/2016/05/31/20160531083928349037.htm 轉載請保留文章出處
    關鍵字: SiFotonics 硅光芯片
    文章標題:硅光芯片走向成熟 SiFotonics全面進入光器件市場
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