華為哈勃投資碳化硅公司天域半導體

  ICC訊 7 月 1 日，東莞市天域半導體科技有限公司發生工商變更，新增股東華為關聯公司深圳哈勃科技投資合伙企業 (有限合伙)，同時公司注冊資本由約 9027 萬元人民幣增至約 9770 萬元人民幣，增幅超 8%。

  企查查信息顯示，該公司成立于 2009 年，法定代表人為李錫光，經營范圍包含：研發、生產、銷售：碳化硅外延晶片，半導體材料及器件等。

  據悉，東莞市天域半導體科技有限公司位于廣東省東莞市松山湖高新技術產業開發園區，是我國首家專業從事第三代半導體碳化硅 (SiC) 外延片研發、生產和銷售的高新技術企業。2010 年，天域半導體與中國科學院半導體所合作成立了“碳化硅技術研究院”，組成了一支國內頂尖的技術創新團隊。

  據了解，經過半個多世紀的發展，基于硅材料的功率半導體器件的性能已經接近其物理極限。因此，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等為代表的第三代半導體材料的發展開始受到重視。全球新一輪的產業升級已經開始，正在逐漸進入第三代半導體時代。