CIOE 2021 | 長瑞光電亮相50G PAM4 VCSEL，IDM模式保障市場競爭力

  ICC訊9月16-18日，CIOE 2021期間，蘇州長瑞光電有限公司隆重展示其25Gb/s-NRZ和50Gb/s-PAM4在內的850nm砷化鎵基高速多模 VCSEL芯片產品，獲得業界客戶和現場觀眾廣泛關注。

長瑞光博會展臺交流情況

長瑞Wafer、25G NRZ VCSEL、50G PAM4 VCSEL展品展示情況

  展會現場，公司50G PAM4 VCSEL項目負責人高逸群向訊石介紹，長瑞光電主要從事III-V族半導體激光器芯片的研發和制造，擁有自主的晶圓到流片的生產線，完整的光學性能以及可靠性測試能力。產品主要應用于高速光通信與消費類電子產品，目前擁有近員工近120余人，研發團隊達40%。

  本次展出的25G NRZ和50G PAM4 VCSEL具有優秀的產品性能和可靠性表現，這得益于長瑞的IDM模式。同時，在國內知名光模塊公司的支持下，長瑞光電的高速VCSEL光芯片在可靠性測試、性能驗證和市場反饋方面，相比于同類企業具有更高的反饋效率，能夠加速產品迭代，推動品質升級。

  作為IDM模式的光芯片領軍企業，長瑞光電不僅完全實現了全產業鏈的自主化供應，而且在芯片測試與分析方面具有一流的設備與人才團隊。公司此次參展的50G PAM4產品目前已具備量產能力，正在接受各主要客戶全面的驗證測試。

  展會期間，長瑞光電“面向100G光通信模塊應用的4*25G VCSEL陣列芯片”項目榮獲“中國光電博覽獎優秀獎”，得到了行業專家的認可。

  長瑞光電相信，一致性的外延材料、全面的分析試驗以及充分的老化可靠性驗證將為25G/50G VCSEL光芯片產品提供強大的市場競爭力，滿足高速光模塊嚴苛的品質和可靠性要求，助力客戶實現產品快速交付。