OFC 2025 | SiFotonics 推出高響應背照式200Gbps/lane Ge/Si PD

訊石光通訊網發布時間:2025/4/3 9:24:15 編者:iccsz

摘要：SiFotonics在OFC2025推出高響應(0.75A/W)、背照式Ge/Si 200Gbps/lane PD芯片(包括單通道及四通道陣列)，面向1.6T DR8和2xFR4高速光模塊設計。

ICC訊 2025年4月1日，SiFotonics在OFC2025推出高響應(0.75A/W)、背照式Ge/Si 200Gbps/lane PD芯片(包括單通道及四通道陣列)，面向1.6T DR8和2xFR4高速光模塊設計。

該產品基于SiFotonics “IDM-Lite”專屬硅光產線開發生產，采用背照式、Flip Chip設計，首次在硅襯底背面集成了微透鏡，等效光敏面達到34um，具有高于52GHz的帶寬和0.75A/W的O波段響應度，適配業內主流TIA，并針對Flip Chip到TIA和Flip Chip到基板的需求分別提供帶solder和solder bump版本的芯片。

關于SiFotonics

SiFotonics Technologies(希烽光電)成立于2007年，是世界上最早的硅光技術原創及產品化公司之一，目前已是全球硅光器件及集成芯片解決方案領軍企業。SiFotonics擁有獨特“IDM-Lite”硅光工藝線，先進鍺硅外延生長技術，積累了超過17年的硅光器件和芯片設計、量產經驗，擁有100+全球專利授權，已實現了硅光芯片技術平臺、出貨量、市場份額的行業領先。SiFotonics 繼續致力于為人工智能集群、數據中心、相干通訊、5G/6G無線網絡、新一代PON、激光雷達與光傳感等市場提供極具競爭力的硅光器件、集成芯片與解決方案，利用顛覆性硅光技術助力和使能全球AI智能化、數字化加速發展。

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內容來自：SiFotonics
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