美光2000億美元芯片回流計劃面臨多重挑戰

  ICC訊  全球第三大存儲芯片制造商美光科技上周宣布，將在愛達荷州新建第二座存儲芯片工廠、擴建弗吉尼亞州設施，并將AI關鍵的高帶寬內存(HBM)先進封裝技術轉移至美國，追加投資300億美元至此前計劃。加上500億美元的國內研發投入，以及紐約州"超級工廠"計劃，美光總投資額達2000億美元。

  目前美光幾乎所有DRAM產品均在海外生產，公司表示目標是將40%的DRAM產能轉移至美國，但未給出具體時間表。這是繼臺積電和格芯之后，又一家響應特朗普政府號召加大在美投資的半導體企業。

  國際商業戰略公司CEO Handel Jones指出，美光在紐約州克萊鎮的工廠將面臨成本競爭力問題："該地區缺乏DRAM制造的專業人才，美光未來需要在美國其他地區或海外另尋生產基地。"在HBM領域，美光還需追趕SK海力士，同時應對三星在得州泰勒市新建晶圓廠的競爭。

  TechInsights副主席Dan Hutcheson認為，這些投資部分源于《芯片法案》補貼和政府壓力，但企業仍需考慮投資回報。"當前投資模式受地緣政治因素影響，如關稅和'一個中國'政策的不確定性。"美光約60%的DRAM產自臺海地區。

  美光CEO Sanjay Mehrotra表示，投資將鞏固美國技術領導地位，創造數萬個就業崗位，確保半導體供應鏈安全。公司預計有資格獲得旨在提振本土芯片業的"先進制造投資稅收抵免"，并已獲得聯邦、州和地方各級資金支持，包括64億美元的《芯片法案》撥款。

  Jones指出，特朗普政府可能重新分配拜登政府末期承諾的芯片補貼："現任政府認為關稅足以保護半導體業，新增資金審批還受萬億級財政赤字制約。"新關稅政策或對進口DRAM征收25%以上關稅，這也成為美光回流的潛在動因。

  英偉達CEO黃仁勛表態支持該計劃，稱美光的HBM技術對AI生態至關重要。美國商務部表示將簡化審批流程，加速投資落地。特朗普政府已放寬拜登時期對愛達荷、紐約和弗吉尼亞項目的政策限制。

  （本文作者Alan Patterson為資深電子產業記者，常駐亞洲逾30年，曾任職彭博社和道瓊斯通訊社）